他是中国科学院院士，长期开展半导体激光理论研究和技术开发及工程化应用。他研制出大功率垂直腔面发射激光器、大功率无铝量子阱边发射激光器及其合束技术等具有开创性、系统性的学术成果，获国家技术发明二等奖1项、国家科技进步二等奖1项、省部级一等奖6项，同时还获得何梁何利奖，他主持的科研项目授权发明专利60余项，为我国航天、国防、工业等领域应用作出重大贡献。

他叫王立军，是中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的研究员。单位领导们评价他，作为一名老党员，王立军为人正直、学风正派、道德高尚、有强烈的事业心和为国家、民族科学事业献身的精神。

1970年王立军被推荐进入吉林大学半导体系半导体器件物理专业学习。1979年考取研究生，师从著名半导体物理学家高鼎三院士。在与导师共同学习研究期间，高院士孜孜以求的科研精神深深感染着他，激励他奋发向上自强不息。

进入中国科学院长春物理研究所工作后，王立军积极投身于半导体激光研究中。1988年6月至1989年6月，他在瑞士邮政电报电话公司从事通讯用半导体激光器产品开发工作。1993年至1995年，他到美国西北大学量子器件研究中心做高级访问学者，开展无铝长寿命新结构半导体激光器的研究。他在实验室里和学生一样加班加点，努力在交流期间掌握更多的前沿知识。很快，他开展的无铝量子阱新材料结构大功率激光器研究取得多项国际领先成果，得到学界关注。那时，大功率半导体激光器一直被美国等西方国家列为对中国限运或禁运产品。得知情况后，王立军果断终止在美国的访问研究，返回国内，他立志要用所知所学，建立中国人自己的半导体激光事业。

强烈的报国心激发王立军带领团队夜以继日钻研，他们以无铝长寿命量子阱激光器研究为突破口，相继攻克大量核心关键技术难题，在多个领域取得填补国内空白的成果。1998年，王立军课题组成功研制808nm单管半导体激光器实现连续输出3.6W，寿命突破5000小时。他的团队还突破了垂直腔面发射激光器（VCSEL）只适于在低功率下运作的旧框架，首次提出多增益区、组分渐变、调制掺杂分散式布拉格反射器等多项设计理念，攻克了芯片制作、器件封装等系列关键技术，并于2004年率先实现了光功率密度33.4kW/cm单管垂直腔面发射激光器脉冲峰值输出（10ns,100Hz条件）以及1.95W单管垂直腔面发射激光器连续波输出，6项主要指标达到国际领先水平，与传统结构相比光功率提高近100倍，显著拓宽了半导体激光器的应用领域，科研成果为世界瞩目。

在针对半导体激光器的研究逐渐走向服务高精尖领域的应用需求后，王立军和同事遇到了不少难题，他执着地做实验，把所学和所想发挥到极致。他先后提出三种解决方法，攻克了激光线阵、激光迭阵的合束难题。2010年，他又发明并实现了基于透射光栅技术的外腔半导体激光光谱合束方法，研制出大功率高光束质量激光光源。基于这些高功率半导体激光系列的关键技术，王立军团队开发出5大系列激光产品，现已在国内上百家企业和科研院所得到推广应用。2020年，国家相关部委委派长春光机所王立军团队组建“国家半导体激光技术创新中心”，目前正在建设中。

把一腔热血贡献给半导体激光事业的王立军，在面对荣誉时，总是谦逊地说，成绩都属于单位和他的团队。在他的带领下，一支知识结构合理、学术水平和创新能力较强的研究队伍已经成熟，他们结合研究领域，根据国家需求确定团队重点发展方向，开展前瞻性和战略性研发。一群胸怀家国情怀的科研工作者在王立军的引领下默契合作，实现一项又一项科研突破。

在庆祝建党百年之际，为表彰王立军忠于党的坚定信念和突出的科研贡献，他被评选为“吉林省优秀共产党员”。